トランジスタのシミュレーション（定性的イメージ）
20年位前にちぃったｐｎ接合のシミュレーションを元にしてトランジスタの簡易シミュレーションを作りました。初期値としてベースに順方向、コレクタに逆方向バイアスが適当に入っててスタート。
図のように電子正孔が黒丸、白〇で表示されて動きます。
これでわかることは、
１）エミッタ、ベース、コレクタの順に不純物密度が高くなってる。
２）エミッタからベースに電子が流れ込み、ベースからエミッタに正孔が流れ込んでるが、正孔の方が少ない。
３）ベースに流れ込んだ電子は拡散によりコレクタ接合に達すると、電界によりコレクタに吸い出される。
４）エミッタの電子数を一定にしてコレクタに流れていった分をコレクタ電流としてカウントし、ベースの正孔がエミッタに拡散して再結合により消費された分の補充をベース電流としてカウントしている。
５）ベース電流より、コレクタ電流の方が多い。（実際は、けた違いに多いけどこの視覚的なシミュレーションでは数倍程度）
６）コレクタ電圧を大きくしても、右側のエネルギーが低くなるだけで、コレクタ電流の量は原理的にほとんど変化なし。（実際はコレクタ接合の空乏層幅の変化で少し増加）
７）エミッタ電圧を大きくすると、ベースへの流入が増え、それがベースを通り越してコレクタ電流も増える。
電流値は不正確、P,N型領域中の無電界の部分の平衡状態も崩れてしまってます。
簡易的なつくりだけにこのあたりが限界です。これ以上正確性を求めるなら、極端な例外処理をあちこちいれるか、視覚めーじを犠牲にするかですので、ここで改良は終わりにします。
ダウンロードはこちら、transistor.zip
.exeに直リンクを貼ると警告がでるので、zip圧縮しました。警告出ると思いますが一応ウィルスチェックは通したので実行してみてください。
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