IoTで室温を時系列で記録して可視化、その6
今日の研究室の室温。
最初の数日と比べてここ数日はずいぶん安定して、1日のわずかな気温の変化が見えるようになりました。
北側の部屋でエアコン入れない、隣の部屋はエアコン入れて日中は少し温度が上がってる状態で今は11度から14度くらいです。
このデバイスについて書くのはこのくらいにして後は何か別のことに流用するまでは放置。
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WiFiモジュール - ESP8266
最初の数日と比べてここ数日はずいぶん安定して、1日のわずかな気温の変化が見えるようになりました。
北側の部屋でエアコン入れない、隣の部屋はエアコン入れて日中は少し温度が上がってる状態で今は11度から14度くらいです。
このデバイスについて書くのはこのくらいにして後は何か別のことに流用するまでは放置。
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2024.03.07 10:31
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IoTで室温を時系列で記録して可視化、その5
昨日の夕方ソフトとハードを改良して一晩ログを取った結果です。
ずいぶん改善されましたがまだノイズがあります。
温度センサはアナログで電源は直近に大きめのコンデンサが入っているので、マイコン側のアナログ入力の値が安定してないのだと思います。
プログラムでは、意図的に通信してないものの、WifiとESP8266が接続されたままになっているので、通信を維持するために不定期的に通信しててその際のマイコンの電流消費による電源のふらつきかもです。
回路的にはマイコン直近にでっかいコンデンサをいれるか、ソフト的には、Wifiは通信終わったら切断して、通信するときにまた繋ぎなおすようにするかですね。
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ずいぶん改善されましたがまだノイズがあります。
温度センサはアナログで電源は直近に大きめのコンデンサが入っているので、マイコン側のアナログ入力の値が安定してないのだと思います。
プログラムでは、意図的に通信してないものの、WifiとESP8266が接続されたままになっているので、通信を維持するために不定期的に通信しててその際のマイコンの電流消費による電源のふらつきかもです。
回路的にはマイコン直近にでっかいコンデンサをいれるか、ソフト的には、Wifiは通信終わったら切断して、通信するときにまた繋ぎなおすようにするかですね。
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2024.03.05 09:49
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トランジスタのシミュレーションは途中。
昔のフォルダを調べたら、トランジスタの定性的シミュレーションを作りかけて終わってました。
Visual Basic 6で作ってて、いまはVB6をPCにインストールしてないので続きが作れません。
せっかくなのでトランジスタまではあると良いんですが。
Visual Basic 6で作ってて、いまはVB6をPCにインストールしてないので続きが作れません。
せっかくなのでトランジスタまではあると良いんですが。
IoTで室温を時系列で記録して可視化、その4
IoTで研究室の室温を時系列で記録して可視化、その4です。
前の書き込みの通りノイズが異常に大きいので改良しました。
まず、プログラムの改良ですが、データを取り込むタイミングをWifiアクセスのタイミングと離して、1分待ってから測定を10回積算して、その後平均を取った値を温度に換算してサーバーに送るようにしました。
プログラムは画像で。
1分おきのデータはほぼ同じ数値ずつ積算されて最後に平均されて送られている様子が分かります。これで値が大きくばらつくことは無くなります。
念のため回路も改良。少し大きな基板に載せ替えて、ESP8266ボードと温度センサを離しました。
電源強化のために電解コンデンサも3.3V電源と並列に入れました。
これでまた一晩動かしてみます。
結果が楽しみ。
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前の書き込みの通りノイズが異常に大きいので改良しました。
まず、プログラムの改良ですが、データを取り込むタイミングをWifiアクセスのタイミングと離して、1分待ってから測定を10回積算して、その後平均を取った値を温度に換算してサーバーに送るようにしました。
プログラムは画像で。
1分おきのデータはほぼ同じ数値ずつ積算されて最後に平均されて送られている様子が分かります。これで値が大きくばらつくことは無くなります。
念のため回路も改良。少し大きな基板に載せ替えて、ESP8266ボードと温度センサを離しました。
電源強化のために電解コンデンサも3.3V電源と並列に入れました。
これでまた一晩動かしてみます。
結果が楽しみ。
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pn接合シミュレーション(定性的イメージ)
前の書き込みの続き。
pn接合の定性的なシミュレーションです。これも約20年前に作ったものです。
ゼロバイアスの時が以下の図で、左のn型半導体の部分は電子が多数、右のp型半導体の部分は正孔が多数になってます。この時、例えばn型の電子のエネルギー的に高いところの電子密度がp型の少数キャリアの電子密度と同じくなるようになっています。
これに順方向バイアス、n型にマイナス、p型にプラスの電圧を加えると図のように、フェルミ順位に差ができてエネルギー障壁(電位障壁)が低くなり、多数キャリアがお互いに逆方向に拡散していき、電子ー正孔の再結合が起こり、順方向電流となります。
逆方向バイアスの時は、図のようにエネルギー障壁が高くなり、多数キャリアの移動はできなくなります。逆に空乏層近くの少数キャリが逆方向に流れ込んでわずかな逆方向電流となります。
これも、実際の電流スケールはけた違いの現象なので、あくまで定性的、視覚的に示すシミュレーションです。原理的な数式通りにでなく、逆に視覚的に見せるために細工したところが大変だった記憶があります。
ダウンロードはこちら、pn-junctionSim.zip
.exeに直リンクを貼ると警告がでるので、zip圧縮しました。警告出ると思いますが一応ウィルスチェックは通したので実行してみてください。
pn接合の定性的なシミュレーションです。これも約20年前に作ったものです。
ゼロバイアスの時が以下の図で、左のn型半導体の部分は電子が多数、右のp型半導体の部分は正孔が多数になってます。この時、例えばn型の電子のエネルギー的に高いところの電子密度がp型の少数キャリアの電子密度と同じくなるようになっています。
これに順方向バイアス、n型にマイナス、p型にプラスの電圧を加えると図のように、フェルミ順位に差ができてエネルギー障壁(電位障壁)が低くなり、多数キャリアがお互いに逆方向に拡散していき、電子ー正孔の再結合が起こり、順方向電流となります。
逆方向バイアスの時は、図のようにエネルギー障壁が高くなり、多数キャリアの移動はできなくなります。逆に空乏層近くの少数キャリが逆方向に流れ込んでわずかな逆方向電流となります。
これも、実際の電流スケールはけた違いの現象なので、あくまで定性的、視覚的に示すシミュレーションです。原理的な数式通りにでなく、逆に視覚的に見せるために細工したところが大変だった記憶があります。
ダウンロードはこちら、pn-junctionSim.zip
.exeに直リンクを貼ると警告がでるので、zip圧縮しました。警告出ると思いますが一応ウィルスチェックは通したので実行してみてください。